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本发明提供一种晶体管及形成应变沟道元件的方法，所述应变沟道晶体管包括第一材料所组成的基底。一由第二材料所组成的源极区是形成在基底的第一凹陷中，且一由第二材料所组成的漏极区是形成在基底的第二凹陷中。一由第一材料形成的应变沟道区是位于源极区和漏...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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