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本发明是关于一种半导体装置的铜内连线结构，该结构的表面区域的粗糙度大于２０埃，且以大于１００埃为较佳。铜内连线结构的表面区域与另一以离子轰击形成的粗糙表面互相接触，以解决铜内连线结构中电子漂移以及应力漂移的问题。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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