温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种具有复合式衬垫的浅沟渠隔离组件的形成方法，它是在一半导体基底表面形成一垫氧化层与氮化硅掩膜层后，利用刻蚀技术形成浅沟渠，再在浅沟渠内表面依序沉积一氮化硅层及一原位蒸气产生（ＩＳＳＧ）氧化层，最后在浅沟渠中填满一层氧化物，以形成...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。