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本发明是关于一种插栓的形成方法与双镶嵌结构的制造方法，所述插栓的形成方法包括：提供一半导体基底，其上形成有一低介电常数材料层，该低介电常数材料层具有一上表面以及形成穿过该低介电常数材料层的至少一介层开口；形成一第一插栓材料层于该低介电常数材...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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