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本发明是有关于一种改善元件效能的几何最佳化间隙壁，一种具有梯形间隙壁的互补金属氧化物半导体元件及其制造方法，制造方法具有改良的关键尺寸控制方法与改良的自动对准硅化金属制程，此互补金属氧化物半导体元件包括一半导体基板；一闸极结构至少包括位于半...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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