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本发明披露一种上升Ｖ↓［ｓ］通道起始二次电子注入（ＣＨＩＳＥＬ）程序化方法，用来程序化电荷陷入非易失性存储单元。在该程序化方法中，一个正源极电压会施加至电荷陷入非易失性存储单元的源极，一个正漏极电压会施加至电荷陷入非易失性存储单元的漏极，其...
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