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一种具有可储存多个位的电荷陷入结构的存储单元。一个高临界偏压配置会施加在存储单元的电荷陷入结构的一部分上以储存高临界状态，且一个低临界偏压配置会施加在电荷陷入结构的其它部分上以提高其临界电压来储存低临界状态，但并不超过低临界状态的最高临界电...
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