温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种用于通过利用ＰＥＣＶＤ工艺在栅极结构上沉积一个或多个含硅材料层以产生总ｋ值在约３．０到约５．０之间的隔片，从而在栅极叠层上形成侧壁隔片的方法。含硅材料可以是碳化硅、掺氧的碳化硅、掺氮的碳化硅、掺碳的氮化硅、掺氮的碳氧化硅或其...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。