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本发明公开了一种半导体器件，包括形成在衬底上的半导体主体，其具有顶表面和横向相对的侧壁。在半导体主体的顶表面上以及半导体主体的横向相对的侧壁上形成栅极电介质层。在半导体主体的顶表面上的栅极电介质上，并与半导体主体的横向相对的侧壁上的栅极电介...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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