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本发明公开了包括具有基本相同高度的发射极端子和基极端子的双极性晶体管及其制造方法。双极性晶体管包括形成于作为集电极的半导体层上并作为基极的硅－锗层。双极性晶体管还包括具有用于发射极端子和集电极端子的接触窗口的绝缘层。通过形成填充接触窗口的多...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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