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一种反熔丝一次可编程（ＯＮＥ－ＴＩＭＥ－ＰＲＯＧＲＡＭＭＡＢＬＥ）非易失存储器单元，包含具有两Ｐ－掺杂区的Ｐ阱基板、Ｎ＋掺杂区以及反熔丝，其中Ｎ＋掺杂区位于基板上的两Ｐ－掺杂区之间，以作为位线。反熔丝（ａｎｔｉ－ｆｕｓｅ）设置于Ｎ＋掺杂区上...
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