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提供了一种能够采用硅锗作为ｐＭＯＳ源／漏扩展区、在源／漏上形成硅化物层、以及实现高速工作的半导体器件，包括经由绝缘体形成在半导体衬底的第一导电类型区域内的栅电极；形成在栅电极的侧面上的第一侧壁；形成在第一侧壁的侧面上的第二侧壁；形成在第二侧...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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