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一种ＮＡＮＤ闪存器件，包括半导体衬底、字线、第一和第二选择线、隧道绝缘层和选择栅绝缘层。半导体衬底包括存储晶体管区和选择晶体管区。字线排列在半导体衬底的存储晶体管区，以及选择线排列在半导体衬底的选择晶体管区。隧道绝缘层插入字线和半导体衬底之...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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