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应力被调节的单层氮化硅膜及其沉积方法技术
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文档序号:3188967
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我们已经发现,可以通过操作某些膜沉积参数来调节单层氮化硅膜的应力。这些参数包括:工作在不同频率范围内的多个(一般是两个)功率输入源;沉积温度;处理室压强;和沉积源气体的组分。具体而言,我们已经发现,可以通过PECVD在单个沉积步骤中沉积膜来...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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