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一种位于半导体衬底上的非易失性存储器设备，包括位于衬底上的底氧化层，位于底氧化层上的氮化硅中间层，及位于中间层上的顶氧化层。底氧化层的氢浓度最高达５Ｅ１９ｃｍ↑［－３］及界面陷阱密度最高达５Ｅ１１ｃｍ↑［－２］ｅＶ↑［－１］。三层结构可以是...
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