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本发明公开一种集成电路元件及其形成方法，该集成电路包括：导电材料，部分嵌入介电层开口，其中该导电材料的侧壁及底部被第一阻挡层包覆；以及第二阻挡层，其包覆导电材料的顶部；其中该导电材料及第一阻挡层侧壁凸出至预定高度，该预定高度高于介电层的顶部...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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