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栅控二极管非易失性存储器单元制造技术
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文档序号:3185904
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一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失性存储器单元,包括具有额外栅极端的二极管结构。示例性实施例包括独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元阵列的方法及其制造方法。...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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