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一种半导体结构及其制造方法，其中该半导体结构包括：一基底；一第一低介电常数介电层，其覆盖该基底，包括一第一区以及一第二区；多个导电构件，其位于该低介电常数介电层内；一上盖层，其位于所述导电构件的至少一部分上；以及一介电上盖层，其覆盖该第一低...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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