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本发明提供了一种无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用的集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构及其制备方法。它包括基片和在基片上设置的Ｚｒ粘附层、阻挡层、Ｚｒ缓冲层，阻挡层设置在Ｚｒ粘附层和Ｚｒ缓冲层之间，Ｚｒ缓冲层设置在最上面。...
该专利属于哈尔滨工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工程大学授权不得商用。

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