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一种利用碳基硬掩模的双图案化系统和工艺。该双图案化系统提供在单硬掩模蚀刻步骤中形成具有比在基于单曝光的硬掩模中可印刷的最小间隔小的特征间隔的硬掩模特征的装置。...
该专利属于ASML荷兰有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASML荷兰有限公司授权不得商用。

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