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一种制造ＭＩＳ半导体器件的方法，包括：在第一导电类型的半导体衬底（１０）上形成高介电膜（１３ａ）作为栅极绝缘体（１３）；在具有氢气和氧气的环境中对半导体衬底进行热处理以在半导体衬底（１０）和高介电膜（１３ａ）之间形成界面层（１３ｂ）；在形成...该专利属于株式会社东芝;株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝;株式会社瑞萨科技授权不得商用。
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一种制造ＭＩＳ半导体器件的方法，包括：在第一导电类型的半导体衬底（１０）上形成高介电膜（１３ａ）作为栅极绝缘体（１３）；在具有氢气和氧气的环境中对半导体衬底进行热处理以在半导体衬底（１０）和高介电膜（１３ａ）之间形成界面层（１３ｂ）；在形成...