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本发明是有关于一种半导体元件的制造方法及其半导体元件。其提供一种填充内连线介层窗的铝基质导体，及藉由此铝基质导体所形成的半导体元件。半导体元件包括有第一介电层。其中介电层具有截面面积实质小于１μｍ↑［２］的开口形成于其中，以及填充于开口中的...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明是有关于一种半导体元件的制造方法及其半导体元件。其提供一种填充内连线介层窗的铝基质导体，及藉由此铝基质导体所形成的半导体元件。半导体元件包括有第一介电层。其中介电层具有截面面积实质小于１μｍ↑［２］的开口形成于其中，以及填充于开口中的...