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本发明提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，包括：提供一半导体基底；形成一介电层于该半导体基底上；通过化学气相沉积法形成一附着层于该介电层上，其中该附着层包括一过渡层形成在该介电层上，且该过渡层至少具有一自该过渡层的底部至顶部逐渐改变的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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