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在低浓度ｐ型淀积膜内具备沟道区域和通过离子注入返型成ｎ型的基极区域的ＳｉＣ纵型ＭＯＳＦＥＴ，在截止时会引起栅极氧化膜的绝缘破坏，从而妨碍了高耐压化。本发明通过以下的方式来解决。即，在低浓度ｐ型淀积膜和高浓度栅极层之间设置低浓度ｎ型淀积膜，并...
该专利属于独立行政法人产业技术综合研究所所有，仅供学习研究参考，未经过独立行政法人产业技术综合研究所授权不得商用。

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