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本发明公开了一种功率半导体元件，包括：横方向上周期性地形成第１导电型的第１半导体层和第２导电型的第２半导体层的半导体层；以及包含该周期性地形成的半导体层而构成的功率半导体单元；所述第１半导体层的纵方向的杂质量分布和所述第２半导体层的纵方向的...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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