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本发明提供一种半导体装置的结构与形成方法，其具有浅沟槽隔离结构在绝缘层上覆硅的基底中。其结构包含浅沟槽隔离结构围绕孤岛状的绝缘层上覆硅结构。上述浅沟槽隔离结构包含在上述基底上的第二外延层、与在上述第二外延层上的第二介电层。半导体装置的形成方...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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