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本发明提供了一种通过处理系统中的低压沉积工艺在衬底上的微构件中沉积含硅膜的方法。通过在处理系统的处理室中提供衬底，然后将六氯乙硅烷（ＨＣＤ）处理气体暴露于所述衬底，可以在微构件中形成含硅膜。本发明还提供了一种处理设备，所述处理设备包括使用含...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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