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本申请提供了一种三维存储结构。该三维存储结构包括：衬底，包括第一功能区；第一导电结构，设置于所述衬底上并与所述第一功能区电连接，用于实现所述三维存储结构的使用功能；第一垂直互连通道，电连接地设置于所述第一导电结构上；第二垂直互连通道，与所述...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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