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一种半导体器件，包括：半导体衬底（１－３）；设置在衬底（１－３）中的横向ＭＯＳ晶体管（ＬＴａ－ＬＴｄ）；设置在衬底（１－３）中的齐纳二极管（ＺＤａ－ＺＤｄ）；以及设置在衬底（１－３）中的电容器（Ｃａ－Ｃｅ）。所述晶体管（ＬＴａ－ＬＴｄ）包括...
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