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本发明提供一种能够形成高密度的贯通电极的半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法包括：准备形成有第１集成电路并包含多个第１贯通电极的第１半导体基板、和形成有第２集成电路并包含多个第２贯通电极的第２半导体基板的工序；仅在上述第１半导体基板上...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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