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本发明涉及一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，包括利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和利...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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