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一存储单元包括：以半导体沟道区所分隔的源极区及漏极区，沟道区是具有面积Ａ１的一沟道表面且包括一第一区，一第一介电结构是位于此沟道表面上，一介电电荷捕获结构是位于第一介电结构上，一第二介电结构是位于介电电荷捕获结构上，一传导层具有一传导表面，...
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