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本发明提供一种半导体装置、镶嵌结构及互连线结构的形成方法，其中该半导体装置的形成方法，包括：提供半导体基底，该半导体基底上具有图案化保护层；在该图案化保护层上形成介电层；在该介电层上形成图案化掩模层；以该图案化掩模层为遮罩而蚀刻部分介电层，...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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