下载提高氮化镓材料载流子迁移率的方法的技术资料

文档序号:3176117

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本发明一种提高氮化镓材料载流子迁移率的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上生长氮化镓材料;步骤3:在生长氮化镓材料时轻掺硅杂质;由硅杂质电离出来的自由电子对位错有屏蔽作用。...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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