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本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体集成电路，其可以形成有ＰＭＯＳ器件，而该ＰＭＯＳ器件可利用替代金属栅极及抬高的源极漏极形成。抬高的源极漏极可以由掺杂了Ｐ型的外延沉积锗硅材料形成。替代金属栅极过程产生了金属栅电极，并且可能会涉及到氮化物蚀...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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