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本发明提供一种非易失性半导体存储器件及其制造方法。能够提高分离栅极型ＭＯＮＯＳ存储单元的抗误写入（干扰）性能，并且使该存储单元高速动作。取消元件分离区域以及存储晶体管与选择晶体管之间的绝缘区域中的电荷积蓄膜，使得不对该部位注入或积蓄电荷。并...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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