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本发明提供一种包括阻挡绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底，包括多个有源区，其中有源区由器件隔离层定义且沿第一方向设置；多个位线电极，连接到所述有源区，其中每个所述位线电极沿第二方向延伸；以及多个第一阻挡绝缘层。每个...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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