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本发明涉及一种ＮＡＮＤ型闪存器件，其包括：堆叠的多个半导体层；设置在多个半导体层中的每一个的预定区中的器件隔离图案，该器件隔离图案定义有源区；该有源区中的源极和漏极杂质区；电连接所述源极杂质区的源极线插塞结构；及电连接所述漏极杂质区的位线插...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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