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本发明揭示一种半导体结构的制造方法。形成第一半导体芯片及与其相同的第二半导体芯片，其中第一及第二半导体芯片各包括：识别电路以及多个输入／输出导电路径。输入／输出导电路径连接至第一及第二半导体芯片单独的存储器电路，其中输入／输出导电路径包括硅...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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