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本发明提供了一种绝缘体上半导体结构的制造方法，先通过对第一晶圆进行P型离子注入，形成了第一离子掺杂层，并将所述第一晶圆划分为由基底晶圆层、第一离子掺杂层和表面晶圆层组成的三明治结构，后通过表面晶圆层表面上形成的第一氧化键合层以及第二晶圆表面...
该专利属于中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司授权不得商用。

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