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本发明提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构，包括：一半导体衬底，一介电层设于该半导体衬底上，一导线设于该介电层中，以及一金属碳化物盖层设于该导线上方。该半导体结构的制造方法，包括：提供一半导体衬底，形成一介电层于该半导体衬底上，形成...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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