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本发明公开了一种功率器件及制备方法，功率器件包括：衬底；外延叠层结构，所述外延叠层结构包括依次叠置的第一外延层、第二外延层及第三外延层；所述第一外延层位于所述衬底的表面；沟槽晶体管，所述沟槽晶体管包括栅极沟槽及栅极结构，所述栅极沟槽位于所述...
该专利属于深圳深爱半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳深爱半导体股份有限公司授权不得商用。

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