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本公开实施例是有关于一种存储器装置、一种存储器装置结构及其形成方法。一种磁性隧道结(MTJ)存储器单元，包括连接通孔结构、设置在连接通孔结构上的底部电极、设置在底部电极上的存储器材料堆叠以及设置在存储器材料堆叠上的导电接触结构，其中导电接触...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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