温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种氮化硅宽带光开关,包括第一3dB非对称绝热耦合器、第二3dB非对称绝热耦合器、干涉臂波导、参考臂波导和热移相器;第一3dB非对称绝热耦合器和第二3dB非对称绝热耦合器结构相同,均包括依次连接的第一波导部分、耦合区域部分和第二波...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种氮化硅宽带光开关,包括第一3dB非对称绝热耦合器、第二3dB非对称绝热耦合器、干涉臂波导、参考臂波导和热移相器;第一3dB非对称绝热耦合器和第二3dB非对称绝热耦合器结构相同,均包括依次连接的第一波导部分、耦合区域部分和第二波...