一种氮化硅宽带光开关制造技术

本发明专利技术涉及一种氮化硅宽带光开关，包括第一3dB非对称绝热耦合器、第二3dB非对称绝热耦合器、干涉臂波导、参考臂波导和热移相器；第一3dB非对称绝热耦合器和第二3dB非对称绝热耦合器结构相同，均包括依次连接的第一波导部分、耦合区域部分和第二波导部分，第一3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第一端通过干涉臂波导与第二3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第二端相连，第一3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第二端通过参考臂波导与第二3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第一端相连；干涉臂波导和参考臂波导为等长的氮化硅波导，干涉臂波导上设置有热移相器。本发明专利技术解决了氮化硅波导无法集成可调光衰减器等有源器件弥补开光消光比的问题。有源器件弥补开光消光比的问题。有源器件弥补开光消光比的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化硅宽带光开关


[0001]本专利技术涉及集成光电子器件
，特别是涉及一种氮化硅宽带光开关。

技术介绍

[0002]光开关作为光通信的基本单元，广泛应用在光延时线、激光雷达、光学神经网络等领域。马赫
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曾德干涉仪(MZI)光开关由于工艺容差性大、结构紧凑而广泛应用在集成光子系统中。然而，现有的MZI光开关中光功率耦合器耦合效果会受到波长变化的影响，很难在较宽的工作带宽内保持3dB的分光效果，因此研究宽带光开关对于具有较大光带宽要求的集成光子系统有着重要意义。
[0003]多模干涉耦合器(MMI)和定向耦合器(DC)是MZI中常用的3dB耦合器，但是多模干涉耦合器会导致对光源的意外反射，定向耦合器由于波导的色散具有较强的波长依赖性，最终导致MZI使用效果不理想。在硅波导中，可以采用集成可调光衰减器(VOA)弥补消光比，抑制串扰，但是由于氮化硅波导的特殊性，无法集成VOA，因此氮化硅光开关自身工作带宽内的消光比直接决定了能否应用于氮化硅光子系统中。
[0004]氮化硅波导的损耗相较于硅波导具有明显优势，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅宽带光开关，其特征在于，包括第一3dB非对称绝热耦合器、第二3dB非对称绝热耦合器、干涉臂波导、参考臂波导和热移相器；所述第一3dB非对称绝热耦合器和第二3dB非对称绝热耦合器结构相同，均包括依次连接的第一波导部分、耦合区域部分和第二波导部分，其中，所述第一波导部分为非对称结构；所述第一3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第一端通过所述干涉臂波导与所述第二3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第二端相连，所述第一3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第二端通过所述参考臂波导与所述第二3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第一端相连；所述干涉臂波导和参考臂波导为等长的氮化硅波导，所述干涉臂波导上设置有所述热移相器。2.根据权利要求1所述的氮化硅宽带光开关，其特征在于，所述干涉臂波导、参考臂波导、所述第二波导部分的厚度均为0.8um，宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：武爱民，李昂，仇超，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：