温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种半导体器件及其制作方法，包括：形成基底；在基底上形成多个间隔设置的第一导电走线；在基底上形成覆盖第一导电走线的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成位于第一导电走线之间且露出基底的开口；在开口中形成第二导电走线；去除第一绝缘层，以得到...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。