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一种半导体装置，包含基板；井，为第一导电型且包含第一导电型的防击穿层；源极特征以及漏极特征，在防击穿层上且为第二导电型；条状特征，在井上且为第一导电型；多个垂直堆叠的通道层，在防击穿层上且将源极特征连接至漏极特征；栅极，环绕每个通道层；源极...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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