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一种半导体器件，包括：第一栅电极；第一沟道结构，穿透所述第一栅电极并且包括第一沟道层和第一沟道填充绝缘层；所述第一栅电极上方的第二栅电极；第二沟道结构，穿透所述第二栅电极并且包括第二沟道层和第二沟道填充绝缘层；以及，中央布线层，在所述第一栅...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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