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公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法。该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；页缓冲电路，通过多条位线与存储器单元阵列连接，并且在感测时间期间执行通过所述多条位线感测从所述多个存储器单元选择的存储器单元的感测操作；...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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