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本发明的各种实施例涉及形成存储器单元的方法。在一些实施例中，将存储器膜沉积在衬底上方，该存储器膜包括底部电极层、顶部电极层以及在顶部电极层与底部电极层之间的数据存储膜。在存储器膜上方沉积硬掩模膜，该硬掩模膜包括导电硬掩模层。图案化顶部电极层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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